三项工序，一个平台
芯片微型化与薄型化对表面质量和内部结构检测提出了更高要求。AOI 与 IR 采用互补的成像方式，结合高速分选，实现检测结果与分选动作的协同。
AOI
六面外观检测
缺陷检出尺寸 ≥10 μm
检测刮伤、沾污、粉尘、崩边和崩角等表面缺陷。自研棱镜成像结构配合 2 台高分辨率工业相机，采集芯片正面、背面及四个侧面的图像，兼顾检测覆盖与设备集成度。
IR
红外无损穿透检测
缺陷检出尺寸 ≥15 μm
采用红外透射成像，检测适用硅材料中的内部隐裂及切割微裂纹，补充外观检测难以覆盖的内部缺陷信息。检测适用性需结合材料、厚度及缺陷类型进行来样验证。
SORT
高速分选
驱动 IC：4,000+ UPH；方形芯片：10,000+ UPH
采用 8–16 工位转塔机构完成芯片取放与分仓，XY 取放精度为 ±15–20 μm，角度精度为 ±1°。产能以每小时处理芯片数（UPH）表示，随芯片规格与检测配置变化。
参数随芯片规格与检测项目配置而变，具体以双方确认的技术协议为准。
集成平台的价值
减少工序间搬运
检测与分选在同一设备内完成，减少裸芯片在独立设备之间的转移，降低搬运引入的污染与破片风险。
检测与分选协同
AOI 与 IR 检测结果在同一平台内关联，分选逻辑综合两类检测结果进行判定，减少跨设备数据传输与重复对位环节。
占地与成本
将多项工序集成于单一平台，有助于减少设备占地，并简化产线配置、操作与维护。