三項工序，一個平台
晶片微型化與薄型化對表面質量和內部結構檢測提出了更高要求。AOI 與 IR 採用互補的成像方式，結合高速分選，實現檢測結果與分選動作的協同。
AOI
六面外觀檢測
缺陷檢出尺寸 ≥10 μm
檢測刮傷、沾汙、粉塵、崩邊和崩角等表面缺陷。自研稜鏡成像結構配合 2 台高解析度工業相機，採集晶片正面、背面及四個側面的影像，兼顧檢測覆蓋與設備整合度。
IR
紅外無損穿透檢測
缺陷檢出尺寸 ≥15 μm
採用紅外透射成像，檢測適用矽材料中的內部隱裂及切割微裂紋，補充外觀檢測難以覆蓋的內部缺陷資訊。檢測適用性需結合材料、厚度及缺陷類型進行來樣驗證。
SORT
高速分選
驅動 IC：4,000+ UPH；方形晶片：10,000+ UPH
採用 8–16 工位轉塔機構完成晶片取放與分倉，XY 取放精度為 ±15–20 μm，角度精度為 ±1°。產能以每小時處理晶片數（UPH）表示，隨晶片規格與檢測配置變化。
參數隨晶片規格與檢測項目配置而變，具體以雙方確認的技術協議為準。
整合平台的價值
減少工序間搬運
檢測與分選在同一設備內完成，減少裸晶片在獨立設備之間的轉移，降低搬運引入的汙染與破片風險。
檢測與分選協同
AOI 與 IR 檢測結果在同一平台內關聯，分選邏輯綜合兩類檢測結果進行判定，減少跨設備資料傳輸與重複對位環節。
佔地與成本
將多項工序整合於單一平台，有助於減少設備佔地，並簡化產線配置、操作與維護。